CRGV1206F649K datasheet
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>> CRGV1206F649K 厚膜电阻器 - SMD CRGV1206 1% 649K 1000V datasheet 半导体模块
型号:
CRGV1206F649K
库存数量:
可订货
制造商:
TE Connectivity / Holsworthy
描述:
厚膜电阻器 - SMD CRGV1206 1% 649K 1000V
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
半导体模块 >> 厚膜电阻器
描述
厚膜电阻器 - SMD CRGV1206 1% 649K 1000V
CRGV1206F649K PDF下载
制造商
TE Connectivity / Holsworthy
电阻
649 kOhms
容差
1 %
功率额定值
250 mW (1/4 W)
电压额定值
200 V
外壳代码 - in
1206
外壳代码 - mm
3216
端接类型
SMD/SMT
温度系数
系列
CRGV
工作温度范围
- 55 C to + 125 C
封装
相关资料
属性
链接
代理商
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CRGV1206F732K
供应商
公司名
电话
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129491934(手机优先微信同号)
何芝
深圳市煌盛达科技有限公司
18948314511
贺小姐
北京天阳诚业科贸有限公司
17862669251
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0755-29275935
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13168731828
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深圳市华思半导体技术有限公司
0755-83299983
陈先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129911934(手机优先微信同号)
史仙雁
CRGV1206F649K 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
20,000
0.022
440
40,000
0.0208
832
60,000
0.0194
1164
100,000
0.0166
1660
260,000
0.0152
3952
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